рефераты
рефераты
Поиск
Расширенный поиск
рефераты
рефераты
рефераты
рефераты
МЕНЮ
рефераты
рефераты Главная
рефераты
рефераты Астрономия и космонавтика
рефераты
рефераты Биология и естествознание
рефераты
рефераты Бухгалтерский учет и аудит
рефераты
рефераты Военное дело и гражданская оборона
рефераты
рефераты Государство и право
рефераты
рефераты Журналистика издательское дело и СМИ
рефераты
рефераты Краеведение и этнография
рефераты
рефераты Производство и технологии
рефераты
рефераты Религия и мифология
рефераты
рефераты Сельское лесное хозяйство и землепользование
рефераты
рефераты Социальная работа
рефераты
рефераты Социология и обществознание
рефераты
рефераты Спорт и туризм
рефераты
рефераты Строительство и архитектура
рефераты
рефераты Таможенная система
рефераты
рефераты Транспорт
рефераты
рефераты Делопроизводство
рефераты
рефераты Деньги и кредит
рефераты
рефераты Инвестиции
рефераты
рефераты Иностранные языки
рефераты
рефераты Информатика
рефераты
рефераты Искусство и культура
рефераты
рефераты Исторические личности
рефераты
рефераты История
рефераты
рефераты Литература
рефераты
рефераты Литература зарубежная
рефераты
рефераты Литература русская
рефераты
рефераты Авиация и космонавтика
рефераты
рефераты Автомобильное хозяйство
рефераты
рефераты Автотранспорт
рефераты
рефераты Английский
рефераты
рефераты Антикризисный менеджмент
рефераты
рефераты Адвокатура
рефераты
рефераты Банковское дело и кредитование
рефераты
рефераты Банковское право
рефераты
рефераты Безопасность жизнедеятельности
рефераты
рефераты Биографии
рефераты
рефераты Маркетинг реклама и торговля
рефераты
рефераты Математика
рефераты
рефераты Медицина
рефераты
рефераты Международные отношения и мировая экономика
рефераты
рефераты Менеджмент и трудовые отношения
рефераты
рефераты Музыка
рефераты
рефераты Кибернетика
рефераты
рефераты Коммуникации и связь
рефераты
рефераты Косметология
рефераты
рефераты Криминалистика
рефераты
рефераты Криминология
рефераты
рефераты Криптология
рефераты
рефераты Кулинария
рефераты
рефераты Культурология
рефераты
рефераты Налоги
рефераты
рефераты Начертательная геометрия
рефераты
рефераты Оккультизм и уфология
рефераты
рефераты Педагогика
рефераты
рефераты Полиграфия
рефераты
рефераты Политология
рефераты
рефераты Право
рефераты
рефераты Предпринимательство
рефераты
рефераты Программирование и комп-ры
рефераты
рефераты Психология
рефераты
рефераты Радиоэлектроника
рефераты
РЕКЛАМА
рефераты
 
рефераты

рефераты
рефераты
Лабораторные по проектированию РЭС

Лабораторные по проектированию РЭС

Исходные данные к циклу лабораторных работ

Назначение МЭА: контрольно-измерительная.

Условие эксплуатации: бортовые, самолетные.

Максимальная температура окружающей Среды: 400 С.

Сложность электрической схемы в эквивалентных усилителях и/или вентилях:

5000

Тип схемы аналогово-цифровая. Средний коэффициент объединения по входу

одного вентиля к1=2.

Уровень интеграции микросхем, Jc=75.

Элементная база МЭУ: бескорпусные полупроводниковые микросхемы с размерами

кристаллов Iкр х Вкр=2х2 мм; уровень интеграции кристалла Jк=5; выводы

кристаллов – гибкие.

Типы корпусов МЭУ: согласно ГОСТ 17467-79.

Способы установки МЭУ на платах: Двухсторонний.

Базовая технология изготовления МЭУ: Толстопленочная.

Вариант конструкции блока МЭА: Книжная.

Техническая долговечность: 5 лет.

Вероятность безотказной работы МЭА в конце срока эксплуатации: 0,90.

Коэффициент эксплуатации МЭА, (:0,3.

Серийность производства МЭА: 100.

Постановка задачи разработки конструкции МЭУ

Необходимо разработать принципиальный вариант конструкции МЭУ, исходя из

определенных условий. В качестве исходных, используются следующие данные:

В качестве исходных используются следующие данные:

длина кристалла: lк=2 мм;

ширина кристалла: Bк=2 мм;

уровень интеграции кристалла: Jк=5;

уровень интеграции МЭУ: Jc=75;

минимальное допустимое расстояние от края кристалла до контактной площадки:

с=0,4мм;

сторона квадрата контактной площадки: а=0,25 мм;

минимальное допустимое расстояние между пленочными элементами: d1=0,1 мм;

минимальная ширина пленочного соединительного провода: а1=0,1 мм.

Алгоритм проектирование МЭУ

Этапы разработки

| | |

|Проектирование посадочного места навесного элемента |Синтез |

| | |

|Определение числа рядов и столбцов посадочных мест |Анализ |

| | |

|Определение минимальных шагов установки навесных |Принятие решения |

|элементов | |

| | |

|Выбор размеров подложки и типов корпусов |Принятие решения |

| | |

|Уточнение размеров подложки и типа корпуса |Анализ |

Проектирование посадочного места навесного элемента (НЭ)

Исходные данные:

l=2 мм, длина навесного элемента;

c=0,4 мм, расстояние между НЭ и выводами;

а=0,25 мм, длина контактной площадки под выводы;

b=2 мм, ширина НЭ;

a1=0.1 мм, расстояние между выводами;

u=0,25 мм, ширина контактной площадки под выводы;

Мк=5, количество задействованных выводов НЭ.

Результаты:

Мкв=32, максимальное количество контактных площадок под выводы вокруг

кристалла;

Lов =3,3 мм, длина посадочного места кристалла;

Bов=3,3 мм, ширина посадочного места кристалла.

В приложении 1 приведен эскиз посадочного места кристалла с гибкими

выводами

Определение числа рядов и столбцов посадочных мест

Исходные данные:

Nк =15, число НЭ на подложке.

Результаты:

Mx=3, количество горизонтальных рядов кристаллов на плате;

My=5, количество вертикальных столбцов.

Определение минимальных шагов установки навесных элементов

Исходные данные:

d1=0,1 мм, минимальная ширина пленочного соединительного провода.

Результаты:

hxmin=3,6, минимальный шаг установки по горизонтали кристаллов;

hymin=3,6, минимальный шаг установки по вертикали;

M1=67, число проводников в первом слое;

M2=13, число проводников во втором слое;

M1L=34, число вертикальных линий, на которых группируются проводники

первого слоя;

M2L = 17, число горизонтальных линий, на которых группируются проводники

второго слоя.

Выбор размеров подложки и типов корпусов МкСБ.

Принятие решения: выводы микросборки располагаются вдоль больших сторон

МкСБ.

Исходные данные:

d1 = 1мм. , размер технологической зоны.

Mмс = [pic], кол-во задействованных выводов МЭУ.

Результаты:

Lmin = 18,3 мм. , длина подложки;

Bmin = 15,83 мм. , ширина подложки.

По критериям Lmin( L и Bmin( B выбираем корпус МЭУ:

| | | | |Максим. |Разм.полезно|Масса|

|Наимено-|Тип|Выводы |Габаритн. |шаг |й |, |

| | | |разм., |уста-новки|внутр.полост|г |

|вание |кор| |мм |, мм |и, | |

| |- | | | |мм | |

корпуса |пуса |тип |кол. |lx |ly |lz |lx1 |ly1 |l |в |z |G | |155.15-1 |МС

|ШТ |14 |29,5 |19,5 |5,0 |40,0 |25,0 |25,0 |15,0 |2,0 |5,0 | |МС —

металлостеклянный;

ШТ — штыревые;

2. Уточнение размеров подложки и типа корпуса.

Исходные данные:

h = 0,1мм. , шаг координатной сетки топологии коммутационной пленочной

платы.

Результаты:

Lmin=14,7мм. , длина полезной внутренней полости корпуса МЭУ;

Bmin= 6,8мм. , ширина полезной внутренней полости корпуса МЭУ;

Мкс=13, кол- во задействованных выводов МЭУ.

Корпус: 155.15-1 , выбранный корпус.

4. Выводы по работе:

В данной работе было спроектировано посадочное место навесного элемента,

определено число рядов и столбцов посадочных мест, минимальных шагов

установки кристаллов. Также был выбран вид расположения выводов микросборки

и тип корпуса МЭУ.

-----------------------

МГАПИ

Лабораторная работа

Группа ПР-7

Специальность 2008

Студент

.

     



рефераты
рефераты
© 2011 Все права защищены