рефераты
рефераты
Поиск
Расширенный поиск
рефераты
рефераты
рефераты
рефераты
МЕНЮ
рефераты
рефераты Главная
рефераты
рефераты Астрономия и космонавтика
рефераты
рефераты Биология и естествознание
рефераты
рефераты Бухгалтерский учет и аудит
рефераты
рефераты Военное дело и гражданская оборона
рефераты
рефераты Государство и право
рефераты
рефераты Журналистика издательское дело и СМИ
рефераты
рефераты Краеведение и этнография
рефераты
рефераты Производство и технологии
рефераты
рефераты Религия и мифология
рефераты
рефераты Сельское лесное хозяйство и землепользование
рефераты
рефераты Социальная работа
рефераты
рефераты Социология и обществознание
рефераты
рефераты Спорт и туризм
рефераты
рефераты Строительство и архитектура
рефераты
рефераты Таможенная система
рефераты
рефераты Транспорт
рефераты
рефераты Делопроизводство
рефераты
рефераты Деньги и кредит
рефераты
рефераты Инвестиции
рефераты
рефераты Иностранные языки
рефераты
рефераты Информатика
рефераты
рефераты Искусство и культура
рефераты
рефераты Исторические личности
рефераты
рефераты История
рефераты
рефераты Литература
рефераты
рефераты Литература зарубежная
рефераты
рефераты Литература русская
рефераты
рефераты Авиация и космонавтика
рефераты
рефераты Автомобильное хозяйство
рефераты
рефераты Автотранспорт
рефераты
рефераты Английский
рефераты
рефераты Антикризисный менеджмент
рефераты
рефераты Адвокатура
рефераты
рефераты Банковское дело и кредитование
рефераты
рефераты Банковское право
рефераты
рефераты Безопасность жизнедеятельности
рефераты
рефераты Биографии
рефераты
рефераты Маркетинг реклама и торговля
рефераты
рефераты Математика
рефераты
рефераты Медицина
рефераты
рефераты Международные отношения и мировая экономика
рефераты
рефераты Менеджмент и трудовые отношения
рефераты
рефераты Музыка
рефераты
рефераты Кибернетика
рефераты
рефераты Коммуникации и связь
рефераты
рефераты Косметология
рефераты
рефераты Криминалистика
рефераты
рефераты Криминология
рефераты
рефераты Криптология
рефераты
рефераты Кулинария
рефераты
рефераты Культурология
рефераты
рефераты Налоги
рефераты
рефераты Начертательная геометрия
рефераты
рефераты Оккультизм и уфология
рефераты
рефераты Педагогика
рефераты
рефераты Полиграфия
рефераты
рефераты Политология
рефераты
рефераты Право
рефераты
рефераты Предпринимательство
рефераты
рефераты Программирование и комп-ры
рефераты
рефераты Психология
рефераты
рефераты Радиоэлектроника
рефераты
РЕКЛАМА
рефераты
 
рефераты

рефераты
рефераты
Конструирование изделий МЭ

Конструирование изделий МЭ

Московский Авиационный Институт

(технический университет)

Кафедра 404

Расчетно-пояснительная записка

к курсовой работе

по дисциплине

“Конструирование и технологии изделий МЭ”

Выполнил: Иванов Иван Иваныч

Проверил:

Москва 2000 год

Содержание

|§1. Техническое задание |3 |

|§2. Электрический расчет |3 |

|§3. Расчет топологии |5 |

|§4. Разработка топологии микросборки |9 |

|§5. Расчет надежности по внезапным отказам |10 |

|§6. Схема технологического процесса |11 |

|§7. Список использованной литературы |11 |

§1.Техническое задание

1. Принипиальная схема:

Рис.1

Данное устройство представляет собой импульсный усилитель на микросхеме

2СА281.

Номиналы элементов:

|Резисторы |

|R1 |1k |

|Конденсаторы |

|C1 |50 |

§2. Электрический расчет

2.1 Определение мощности, рассеиваемой на резисторах и напряжения на

конденсаторах.

Примем напряжение на резисторах равным напряжению питания U=6,3 В,

тогда мощность, рассеиваемая на резисторе:

P=U2/R=6,32/1000=0.04 Вт

2.2. Выбор материалов

Материал для защиты пленочных элементов ГИС.

Материал для защиты выбирается по электрической прочности. Он должен

обладать низким ТКС, малым tg( и большим обьемным сопротивлением. В

соответствии с вышеизложенными nребованиями выбираем моноокись кремния

(БКО. 028.004.ТУ).

Его параметры приведены ниже:

Удельное объемное сопротвление: (V=1(1012 Ом(см

Удельная емкость: С0=5000 пФ/см2

Температурный коэффициент емкости: ТКС=2(104 1/(С

Диэлектрическая проницаемость: (=6

Тангенс угла диэлектрических потерь: tg(=0,02

Электрическая прочность: E=3(106 B/см

Рабочая частота: f=500 МГц

Для напыления обкладок выбираем: Алюминий А99, ГОСТ 11069-64.

Материал для контактных соедениений.

Материал для контактных площадок и проводников необходимо выбрать такой,

чтобы:

1. Обладал высокой адгезией с подложкой.

2. Обеспечивал необходимую проводимость электрического тока.

3. Должен быть: химически инертным, стабильным.

Всеми перечисленными выше свойствами обладает золото с подслоем хрома

(нихрома). Подслой хрома обеспечивает особо прочное соеденение с подложкой

и последующими слоями, слой золота обеспечивает высокую проводимость,

химическую инертность и стабильность. Технические характеристики данного

материала следующие:

(S=0,05 Ом/( - удельное сопротивление квадрата пленки контактного

соединения.

(Г=0,03 мОм/( - сопротивление на границе пленки контактного соединения и

резистивной пленки.

Толщина слоев, мкм: 0,6-0,8

Материал подложки.

Конструктивной основой пленочной микросхемы является изоляционная подложка,

которая существенно влияет на параметры пленочных элементов и на надежность

микросхемы. Кроме того, подложка должна иметь хорошую адгезию и

поляризуемость поверхности, а также малые неровности микрорельефа. Всеми

этими свойствами обладает Ситалл СТ-50-1 со следующими характеристиками:

Температурный коэффициент линейного расширения: 50(10-7

Теплопроводность 3 Вт/(м(град)

Диэлектрическая проницаемость при 106 Гц и t=20(: 8,5

Температура размягчения (C: 620

Класс чистоты поверхности: 13

§3. Расчет топологии.

Пленочные элементы будем напылять методами тонкопленочной технологии.

Выбор этого метода основан на том, что рассеиваемые на элементах мощности

относительно невелики, кроме того метод обеспечивает хорошую точность

изготовления пленочных элементов.

3.1. Выбор материала для напыления.

Определим оптимальное удельное поверхностное сопротивление материала по

формуле:

Ом/(

По полученному значению выбираем материал РС-4400, который имеет следующие

параметры:

(s=2000 Ом/(

P0=10 Вт/см2

ТКС=30000 1/C(

3.2. Расчет коэффициентов формы для резисторов.

Расчет коэффициента формы, который определяет форму резистивного

элемента, производим по формуле:

n=R/(s

n= R/(s= 0.53000 - условие надежности выполняется.

§6. Схема технологического процесса.

1) Входной контроль материалов и компонентов.

2) Подготовка элементов к монтажу.

3) Приклеивание микросхемы.

4) Приваривание выводов.

5) Контроль внешнего вида.

6) Выходной контроль.

§7.Список использованной литературы.

1. “Конструирование и технология микросхем”, Москва “ Высшая школа”, 1984

г.

2. Методические указания к практическим занятиям по курсу ”

Конструирование и технология микросхем и микропроцессоров”, Москва “МАИ” ,

1990 г.

-----------------------

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

[pic]

     



рефераты
рефераты
© 2011 Все права защищены